Сучасні типи пам`яті ddr, ddr2, ddr3 для настільних комп`ютерів

У даній статті ми розглянемо 3 види сучасної оперативної пам`яті для настільних комп`ютерів:

Відео: Типи Оперативної Пам`яті [SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3, RIMM] | База знань

• DDR - є найстарішим видом оперативної пам`яті, яку можна ще сьогодні купити, але її світанок вже пройшов, і це найстаріший вид оперативної пам`яті, який ми розглянемо. Вам доведеться знайти далеко не нові материнські плати та процесори які використовують цей вид оперативної пам`яті, хоча безліч існуючих систем використовують DDR оперативну пам`ять. Робоча напруга DDR - 2.5 вольт (зазвичай збільшується при розгоні процесора), і є найбільшим споживачем електроенергії з розглянутих нами 3 видів пам`яті.
• DDR2 - це найбільш поширений вид пам`яті, який використовується в сучасних комп`ютерах. Це не найстаріший, але і не новітній вид оперативної пам`яті. DDR2 в загальному працює швидше ніж DDR, і тому DDR2 має швидкість передачі даних більше ніж у попередньої моделі (найповільніша модель DDR2 по своїй швидкості дорівнює найшвидшої моделі DDR). DDR2 споживає 1.8 вольт і, як в DDR, зазвичай збільшується напруга при розгоні процесора
• DDR3 - швидкий і новий тип пам`яті. Знову ж, DDR3 розвиває швидкість більше ніж DDR2, і таким чином найнижча швидкість така ж як і найшвидша швидкість DDR2. DDR3 споживає електроенергію менше інших видів оперативної пам`яті. DDR3 споживає 1.5 вольт, і трохи більше при розгоні процесора

Таблиця 1: Технічні характеристики оперативної пам`яті по стандартам JEDEC

Відео: Оперативна пам`ять. Як розрізнити планки пам`яті візуально

JEDEC - Joint Electron Device Engineering Council (Об`єднаний інженерний рада з електронним пристроям)

Найважливішою характеристикою, від якої залежить продуктивність пам`яті, є її пропускна здатність, що виражається як добуток частоти системної шини на обсяг даних, переданих за один такт. Сучасна пам`ять має шину шириною 64 біта (або 8 байт), тому пропускна здатність пам`яті типу DDR400, становить 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (або 3.2 Гбайт / с). Звідси, випливає й інше позначення пам`яті такого типу - PC3200. Останнім часом часто використовується двухканальное підключення пам`яті, при якому її пропускна здатність (теоретична) подвоюється. Таким чином, у випадку з двома модулями DDR400 ми отримаємо максимально можливу швидкість обміну даних 6.4 Гбайт / с.

Але на максимальну продуктивність пам`яті також впливає такі важливий параметри як "тайминги пам`яті".

Відомо, що логічна структура банку пам`яті представляє собою двовимірний масив - найпростішу матрицю, кожен осередок якої має свою адресу, номер рядка та номер стовпчика. Щоб вважати вміст довільної комірки масиву, контролер пам`яті повинен задати номер рядка RAS (Row Adress Strobe) і номер стовпця CAS (Column Adress Strobe), з яких і зчитуються дані. Зрозуміло, що між подачею команди і її виконанням завжди буде якась затримка (латентність пам`яті), ось її-то і характеризують ці самі таймінги. Існує безліч різних параметрів, які визначають тайминги, але найчастіше використовуються чотири з них:

• CAS Latency (CAS) - затримка в тактах між подачею сигналу CAS і безпосередньо видачею даних з відповідної комірки. Одна з найважливіших характеристик будь-якого модуля пам`яті;
• RAS to CAS Delay (tRCD) - кількість тактів шини пам`яті, які повинні пройти після подачі сигналу RAS до того, як можна буде подати сигнал CAS;
• Row Precharge (tRP) - час закриття сторінки пам`яті в межах одного банку, які витрачають на його перезарядку;
• Activate to Precharge (tRAS) - час активності стрибає. Мінімальна кількість циклів між командою активації (RAS) і командою підзарядки (Precharge), якою закінчується робота з цим рядком, або закриття одного і того ж банку.

Якщо ви побачите на модулях позначення "2-2-2-5" або "3-4-4-7", можете не сумніватися, це згадані вище параметри: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартні значення CAS Latency для пам`яті DDR - 2 і 2.5 такту, де CAS Latency 2 означає, що дані будуть отримані тільки через два такту після отримання команди Read. У деяких системах можливі значення 3 або 1.5, а для DDR2-800, наприклад, остання версія стандарту JEDEC визначає цей параметр в діапазоні від 4 до 6 тактів, при тому, що 4 - екстремальний варіант для добірних "оверклокерских" мікросхем. Затримка RAS-CAS і RAS Precharge зазвичай буває 2, 3, 4 або 5 тактів, а tRAS - трохи більше, від 5 до 15 тактів. Природно, чим нижче ці тайминги (при одній і тій же тактовій частоті), тим вища продуктивність пам`яті. Наприклад, модуль з латентністю CAS 2,5 зазвичай працює краще, ніж з латентністю 3,0. Більш того, в цілому ряді випадків швидше виявляється пам`ять з меншими таймингами, що працює навіть на більш низькій тактовій частоті.

У таблицях 2-4 надані загальні швидкості пам`яті DDR, DDR2, DDR3 і специфікації:

Таблиця 2: Загальні швидкості пам`яті DDR і специфікації

Таблиця 3: Загальні швидкості пам`яті DDR2 і специфікації

Таблиця 4: Загальні швидкості пам`яті DDR3 і специфікації

DDR3 можна назвати новачком серед моделей пам`яті. Модулі пам`яті цього виду, доступні тільки близько року. Ефективність цієї пам`яті продовжує рости, тільки недавно досягла кордонів JEDEC, і вийшла за ці межі. Сьогодні DDR3-1600 (вища швидкість JEDEC) широко доступна, і все більше виробників вже пропонують DDR3-1800). Прототипи DDR3-2000 показані на сучасному ринку, і в продаж повинні поступити в кінці цього року - початку наступного року.

Відсоток надходження на ринок модулів пам`яті DDR3, згідно з даними виробників, все ще невелика, в межах 1% -2%, і це означає, що DDR3 повинен пройти довгий шлях перш ніж буде відповідати продажу DDR ​​(все ще знаходитися в межах 12% - 16%) і це дозволить DDR3 наблизитися до продажів DDR2. (25% -35% за показниками виробників).